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90纳米, 0.13/0.11微米, 0.18微米,
0.25微米, 0.35微米

90纳(na)米

手艺简(jian)介

中芯(xin)国际(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)300毫米(mi)晶圆厂已有(you)多(duo)个(ge)90纳(na)米(mi)工(gong)艺(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)产(chan)物进(jin)入(ru)大范围的(de)(de)(de)(de)(de)(de)出(chu)产(chan),中芯(xin)国际(ji)具有(you)丰硕的(de)(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)程(cheng)开(kai)辟经历,可(ke)向(xiang)环(huan)球客户(hu)(hu)供(gong)给(ji)成(cheng)熟不变的(de)(de)(de)(de)(de)(de)90纳(na)米(mi)手(shou)艺(yi)办事。中芯(xin)90纳(na)米(mi)制(zhi)(zhi)程(cheng)接纳(na)Low-k材质的(de)(de)(de)(de)(de)(de)铜互连手(shou)艺(yi),出(chu)产(chan)高(gao)机能(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)元器件(jian)。操(cao)纵(zong)进(jin)步前辈的(de)(de)(de)(de)(de)(de)12英寸出(chu)产(chan)线(xian)停止90纳(na)米(mi)工(gong)艺(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)出(chu)产(chan)能(neng)确保本钱的(de)(de)(de)(de)(de)(de)优化(hua),为(wei)客户(hu)(hu)将来手(shou)艺(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)晋升供(gong)给(ji)附(fu)加的(de)(de)(de)(de)(de)(de)资本。另外,咱们的(de)(de)(de)(de)(de)(de)90纳(na)米(mi)手(shou)艺(yi)能(neng)够或许为(wei)客户(hu)(hu)量身定做, 到达各类设想请求,包(bao)含高(gao)速,低耗,夹杂旌旗(qi)灯(deng)号,射频和(he)嵌入(ru)式和(he)体(ti)系集成(cheng)等计划。

在90纳米手艺上(shang),中芯向客(ke)户供给出(chu)产(chan)(chan)优化的(de)(de)(de)计划,以(yi)期竭尽所能(neng)地为客(ke)户产(chan)(chan)物的(de)(de)(de)机(ji)能(neng)的(de)(de)(de)晋(jin)升,良率的(de)(de)(de)改良和靠得住性(xing)的(de)(de)(de)保(bao)障(zhang)供给赞助。对90纳米相干(gan)的(de)(de)(de)单位库,IP及输入/输入接口等可经由过程我司(si)的(de)(de)(de)协作火伴(ban)取得。

特(te)色(se)

工艺(yi)组件挑(tiao)选

规范工艺组(zu)件挑(tiao)选

90纳米(mi)低泄(xie)电器件(1.2V)

90纳米低泄电器件(1.0V)

焦(jiao)点器件

高阈值(zhi)电压(ya)

规(gui)范阈值电(dian)压

低阈值(zhi)电压

输(shu)入输(shu)入器(qi)件

1.8V

2.5V

2.5V 过载 3.3V

3.3V

内存(cun)

单端静态内(nei)存(cun) (0.999μ㎡)

双端静态内存(cun) (1.994μ㎡)

 

操纵产(chan)物

中芯(xin)国际90纳米手艺(yi)能够或许知足(zu)多种操(cao)纵产物如无线德律风,数字电视(shi),机顶盒,挪动(dong)电视(shi),小我多媒(mei)体产物,无线收集接入及小我计较机操(cao)纵芯(xin)片等对低能耗(hao),出色机能及高集成(cheng)度的请(qing)求。

  • 无线(xian)德(de)律(lv)风

  • 数字电视

  • 机顶盒

  • 挪动电视

  • 小我
    多媒体产物

  • 无线收集

0.13/0.11微(wei)米

手艺简介

和0.15微米器件的(de)制程手艺(yi)比拟(ni),咱们的(de)0.13微米工(gong)艺(yi)能使芯单方面(mian)积减少25%以(yi)上,机(ji)能进步约(yue)30%。与0.18微米制程手艺(yi)比拟(ni),芯单方面(mian)积更可(ke)减少跨越50%,而其(qi)机(ji)能也(ye)进步跨越50%。 

中芯的0.13微米制程接纳全铜制程手艺,从而在到达高机能装备的同时,完本钱钱的优化。中芯的 0.13 微米手艺工艺利用 8 层金属层宽度仅为 80 纳米的门电路,能够或许建造焦点电压为 1.2V 和输入 / 输入电压为 2.5V 3.3V的组件。咱们的高速、低电压和低泄电制程产物已在普遍出产中

中芯国际能够或许供给0.13/0.11微米的单位库,内存编译器,输入输入接口和摹拟IP

特色(se)

  • 0.13 微(wei)米/0.11微(wei)米铜(tong)工艺平台(tai)

工艺组件(jian)挑(tiao)选

  • 0.13 微(wei)米

    规范工艺组件挑选

    0.13微米低泄电器(qi)件 (1.5V)

    0.13微(wei)米高机能通用(yong)器件(1.2V)

    焦点器件(jian)

    高阈(yu)值电压

    规(gui)范阈(yu)值电压

    低(di)阈值电压

     

     

    输(shu)入输(shu)入器件

    2.5V

    3.3V

     

    内存

    (减少之前)

    单端(duan)静态内存(cun) (2.43μ㎡)

    单端静(jing)态内存(cun)(2.14μ㎡)

    单端静(jing)态(tai)内存(2.03μ㎡)

     

     

  • 0.11微(wei)米

    规范工(gong)艺组(zu)件挑选

    0.11微米高机能(neng)通(tong)电器件 (1.2V)

    焦点器件

    高阈(yu)值电(dian)压

    规范阈值电压

    低(di)阈值电压

    输(shu)入输(shu)入器件(jian)

    2.5V

    3.3V

    内存

    (减少(shao)之(zhi)前)

    单(dan)端静态(tai)内存 (2.43μ㎡)

    单端静态内存(2.03μ㎡)

     

操纵(zong)产物

中芯(xin)国际在(zai)0.13/0.11微米手艺节点上可供给(ji)低本钱的(de)闪(shan)存节制器、媒体播放器和其余各类(lei)操纵产(chan)物。

  • 闪存(cun)节制(zhi)器

  • 媒体播放(fang)器(qi)

0.15微米

手艺简介(jie)

中芯国际(ji)0.15微(wei)米工艺手艺包(bao)含逻(luo)辑、夹杂旌旗(qi)灯号,高压,BCD,并(bing)供(gong)给普遍的单(dan)位(wei)库和(he)IP的撑持。

特色

操纵(zong)产(chan)物

中芯国际在 0.15 微米手艺(yi)节点上可供给低本(ben)钱的挪动(dong)/花(hua)费操纵(zong)和汽车和产业操纵(zong)产物。

  • 挪动/花费操纵(zong)

  • 汽车(che)

  • 产业

0.18微米

手艺(yi)简(jian)介

中芯国际的(de)0.18微米为(wei)花费性(xing)、通信(xin)和计较(jiao)机等(deng)多种产物操(cao)纵供给了在速率、功耗(hao)、密度及本钱方面的(de)最(zui)好挑(tiao)选。另外(wai),它(ta)也在嵌入式内存、夹杂旌旗灯(deng)号及CMOS射频(pin)电路等(deng)操(cao)纵方面为(wei)客户供给矫捷性(xing)的(de)处置计划(hua)及摹拟(ni)。

此工艺(yi)接纳 1P6M(铝)制程(cheng),特色是(shi)每平方毫米的多晶硅门(men)电(dian)(dian)路集成(cheng)度高(gao)达100,000门(men)和有1.8V、3.3V和5V三种差别电(dian)(dian)压,供客户挑选。

咱们(men)的 0.18 微(wei)米工艺手艺包(bao)含逻辑、夹杂旌(jing)旗灯(deng)号/射频、高压、BCD、带电可擦(ca)除只(zhi)读存储器和OTP等。这些(xie)手艺均有(you)普遍(bian)的单(dan)位库(ku)和智能模(mo)块撑(cheng)持。

特色

操纵产物

中芯(xin)国际在 0.18 微米手艺节点上可供(gong)给低本钱、经历证的智能卡、花(hua)费电子产(chan)物和别的普遍的操纵(zong)类产(chan)物。

  • 花费(fei)电子产物

  • 智能卡

0.25微(wei)米

手艺简介

中芯国际(ji)的0.25微(wei)米手艺(yi)能完成芯片的高机能和低功率,合(he)用于高端图形处(chu)置(zhi)器(qi)、微(wei)处(chu)置(zhi)器(qi)、通信及计较机数据(ju)处(chu)置(zhi)芯片。咱(zan)们同时供给(ji)0.25微(wei)米逻辑电(dian)路和3.3V和5V操(cao)纵的夹杂旌旗灯号/CMOS射(she)频电(dian)路。

特色

操(cao)纵产物

中(zhong)芯(xin)国际供给本钱优化及经(jing)由(you)过程考证的0.35微米工(gong)艺处置计划,可操纵于智能卡、花费性产物和(he)别的多个范畴。

  • 射频

  • 无线装备

0.35微米

手艺简(jian)介

咱们的(de)0.35微米制程手艺包含逻(luo)辑电路(lu),夹杂旌旗灯(deng)号(hao)/CMOS射频电路(lu)、高压电路(lu)、BCD、 EEPROM和OTP芯片。这些(xie)手艺均有普遍的(de)单位库(ku)和智能模块(kuai)撑持。

操纵(zong)产(chan)物(wu)

中芯(xin)国(guo)际供给本(ben)钱优化及经由过(guo)程考(kao)证的(de)0.35微米(mi)工艺处置计划,可操纵于(yu)智能卡、花费(fei)性产(chan)物和别的(de)多个范畴。

  • 智能卡

  • 花(hua)费电子产物

其余工艺(yi)手艺(yi)