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65纳(na)米/55纳(na)米

65纳(na)米(mi)/55纳(na)米(mi)

手(shou)艺简介

中芯国际65纳(na)米(mi)(mi)(mi)/55纳(na)米(mi)(mi)(mi)逻辑手(shou)(shou)(shou)艺(yi)(yi)具(ju)备高机能(neng),节能(neng)的(de)(de)上风,能(neng)够(gou)增(zeng)添进步(bu)前辈手(shou)(shou)(shou)艺(yi)(yi)本钱的(de)(de)优(you)化及(ji)设想(xiang)胜利的(de)(de)能(neng)够(gou)性(xing)。此65纳(na)米(mi)(mi)(mi)/55纳(na)米(mi)(mi)(mi)手(shou)(shou)(shou)艺(yi)(yi)的(de)(de)工(gong)艺(yi)(yi)元件(jian)挑选(xuan)包罗低(di)泄电和超低(di)功耗手(shou)(shou)(shou)艺(yi)(yi)平(ping)(ping)台(tai)。此两种手(shou)(shou)(shou)艺(yi)(yi)平(ping)(ping)台(tai)都供(gong)给三种阈值电压(ya)的(de)(de)元件(jian)和输入/输入电压(ya)为1.8V,2.5V和3.3V的(de)(de)元件(jian),而构成一(yi)个弹性(xing)的(de)(de)制程(cheng)设想(xiang)平(ping)(ping)台(tai)。此手(shou)(shou)(shou)艺(yi)(yi)的(de)(de)设想(xiang)法则、规格及(ji)SPICE模子已完整。55纳(na)米(mi)(mi)(mi)低(di)泄电/超低(di)功耗手(shou)(shou)(shou)艺(yi)(yi)和65纳(na)米(mi)(mi)(mi)低(di)泄电手(shou)(shou)(shou)艺(yi)(yi)首要的(de)(de)单位库已完整。

特(te)色

 

55/65纳米工(gong)艺组件挑选:

规范工艺组件挑选

55 纳米低泄电器件(jian)

65 纳米(mi)低(di)泄电器件

焦(jiao)点器件

(1.2V)

ULL

HVt

SVt

LVt

 

 

输入输入器件

1.8V

2.5V

3.3V

2.5V 超(chao)载(zai) 3.3V

2.5V 低(di)载 1.8V

 

内存

单端(duan)高密度(du)静态(tai)内存(cun)

单端高机能静(jing)态内存

双端(duan)高密度静态内(nei)存

双端高机能静态内存

0.425μ㎡

0.502μ㎡

0.789μ㎡

0.938μ㎡

0.525μ㎡

0.620μ㎡

0.974μ㎡

1.158μ㎡

 

利用产物

中(zhong)芯国际(ji)55纳米逻辑产物首要面(mian)向高机能、低功耗(hao)的利(li)用场景,如(ru)挪动(dong)利(li)用和无线利(li)用。

  • 挪(nuo)动利用(yong)

  • 无(wu)线利用(yong)

其(qi)余工艺手(shou)艺